3.3万亿！今年A股最大IPO来了

薛皓皓 2026-07-28 12:12

薛皓皓 2026/07/28 12:12

邦小白快读

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这篇文章核心介绍了长鑫科技登陆科创板成为年内A股最大IPO、A股市值新第一的全过程，梳理了长鑫从长期亏损到业绩爆发的发展历程，核心干货如下：

1. 核心事件数据：长鑫科技发行价8.66元/股，开盘后市值达3.31万亿元，超过工商银行成为A股市值第一；IPO募资295亿元，此前三年累计亏损超300亿元，2026年一季度单季归母净利润达247.62亿元，是2025年全年利润的13倍，目前全球DRAM市场份额达7.67%，位列中国第一、全球第四。

2. 长鑫突围的关键经验：抓住全球三大存储巨头产能转向高利润HBM留出的市场缺口，通过收购德国奇梦达专利绕开专利壁垒，采用跳代攻坚策略，耗时十年将良率从初始的0.3%提升至90%以上，实现了国产主流DRAM从0到1的突破。

3. 当前战略布局：借端侧AI推理需求爆发卡位LPDDR市场，同时攻关HBM技术，IPO募资220亿元用于设备采购，拉动国产半导体供应链发展。

本文能给国产硬科技品牌的发展提供多维度参考，干货内容整理如下：

1. 产业与消费趋势：AI爆发带动存储芯片需求分层，训练端HBM占据高利润高地，推理端LPDDR因成本优势成为高性价比平替，预计2027年AI推理对LPDDR的需求将占全球总供应的36%；同时三大巨头产能转向HBM，让出通用DRAM的市场空缺，给国产品牌带来突围窗口。

2. 产品研发策略：后进品牌可选择绕开头部品牌专利壁垒、跳代攻坚的差异化路线，长鑫通过收购奇梦达埋入式字线架构专利绕开三大巨头核心专利，跳过落后过渡节点直接攻克17nm工艺，成功实现突破。

3. 定价竞争经验：当产品性能差距持续缩小，且市场需求远大于供给时，不需要通过降价折扣就能获得竞争优势，长鑫当前LPDDR产品的市场表现就是典型案例。

4. 供应链建设方向：可以依托国产替代国家级战略，拉动本土供应链成长，同时获得国资、产业资本的长期支持，实现产业自主可控。

本文梳理了半导体存储领域的最新机会、风险与可参考经验，核心干货如下：

1. 市场机会：AI发展带来存储需求结构性增长，端侧AI推理爆发让LPDDR需求增速远超产能扩张速度，三大存储巨头转向HBM让出通用DRAM市场空间，国内相关从业者迎来量价齐升的增长窗口。

2. 可借鉴的发展路径：初期可避开头部厂商占据绝对优势的红海赛道，先切入巨头逐步放弃的赛道积累资金、技术和市场经验，再切入高壁垒核心赛道，朱一明先做NOR Flash做到全球第三，再切入DRAM就是成功范例。

3. 资本政策机会：当前半导体自主可控是国家级战略，国资、产业资本、头部互联网、险资都在布局硬科技项目，创业者可对接多元资本获得长期支持。

4. 风险提示：HBM领域头部厂商仍有3-5年技术代差，新进入者技术风险较高；存储行业整体已经进入温和增长阶段，不可预期持续爆发式增长。

本文针对半导体制造相关工厂，梳理了相关需求、机会与发展启示，干货内容如下：

1. 产品生产需求：AI推理需求爆发，LPDDR作为高性价比平替方案需求持续上涨，叠加三大巨头让出通用DRAM供给缺口，行业迎来量价齐升，相关制造工厂可针对性布局对应产能。

2. 工艺攻关经验：后进工厂可采用绕开专利壁垒、跳代攻坚的策略，跳过落后节点直接切入先进工艺，通过长期研发逐步提升良率，长鑫从初始0.3%良率提升至90%以上，验证了该路径的可行性。

3. 商业机会：长鑫本次IPO募资220亿元用于设备采购，目前长鑫整体设备国产化率已经达到40%-50%，刻蚀、薄膜等环节国产设备已经实现规模化应用，给国产半导体设备生产工厂带来大量订单与工艺验证机会。

4. 发展启示：硬科技制造工厂可抓住国产替代战略机遇，绑定本土下游需求，对接多元资本获得长期支持，逐步实现技术突破。

本文梳理了半导体存储产业链的发展趋势与痛点，给相关服务商提供了不少干货参考，内容整理如下：

1. 行业发展趋势：AI驱动存储芯片需求分层，HBM在AI训练端维持高利润，LPDDR在AI推理端迎来爆发式增长；国产替代进程加速，本土晶圆厂扩产带动半导体设备需求上涨，产业链自主可控是长期发展方向。

2. 核心客户痛点：当前国内存储芯片厂商面临三大核心痛点，一是头部厂商积累了大量专利，新进入者专利壁垒高，容易遭遇卡脖子风险；二是先进工艺良率提升周期长，研发投入大；三是光刻、量测等高端设备国产化率低，供应链风险较高。

3. 新技术与解决方案机会：埋入式字线架构是绕开专利生产DRAM的可行技术路径，跳代研发是后进厂商追赶先进制程的有效策略；国产设备服务商可借助长鑫等本土晶圆厂扩产的机会，进入头部晶圆厂完成工艺验证，逐步缩小与海外厂商的技术差距，填补高端设备领域的空白。

本文对参与半导体产业的各类平台，提供了招商、运营等层面的干货参考，内容整理如下：

1. 产业需求：硬科技芯片项目前期投入大、亏损周期长，对平台的长期资本支持、产业配套资源需求较高，长鑫项目就是在合肥国资平台的资金、土地配套支持下才成功落地发展。

2. 招商布局方向：存储芯片是半导体产业的核心品类，国产替代空间大，符合国家战略方向，落地后能够带动整条半导体设备、材料产业链发展，适合地方产业平台、投资平台重点招商布局。

3. 运营管理经验：硬科技项目可采用国资陪跑、多元资本参与、分散持股的股权结构，既保障长期稳定投入，也能吸引市场化资源加入，长鑫无实控人、合肥国资合计持股三成以上的结构，支撑了项目十年亏损期的稳定发展。

4. 风险规避：布局芯片项目要警惕技术壁垒和周期风险，存储行业本身周期性较强，HBM领域仍存在较大技术代差，要避免盲目投入低壁垒、落后制程的项目。

本文记录了中国半导体存储产业的最新突破性进展，呈现了不少值得研究的产业新动向与新模式，干货整理如下：

1. 产业新动向：AI发展带动存储需求结构性变化，市场需求从AI训练芯片转向AI推理芯片，给后进存储厂商带来宝贵战略追赶窗口；长鑫科技卡位通用DRAM与LPDDR市场实现业绩爆发，上市后成为A股市值第一，打破了全球三大巨头对DRAM市场的垄断，是国产半导体自主可控的标志性事件。

2. 新研发模式：后进芯片企业探索出绕开专利墙、跳代攻坚的追赶研发模式，通过收购破产企业的专利技术切入赛道，跳过落后节点直接攻坚先进工艺，走出了差异化追赶路线，该模式对其他卡脖子领域的突破有参考意义。

3. 创新资本模式：长鑫形成了国资前期陪跑+市场化VC/PE+产业资本+险资等多元主体参与的资本结构，既解决了硬科技长期投入的资金需求，也保持了股权结构的灵活性，该模式为硬科技项目融资提供了新样本。

4. 待解决的新问题：当前国产半导体设备在光刻、量测环节国产化率仍然较低，卡脖子风险依然存在，HBM领域仍有3-5年技术代差，需要进一步的政策与产业资源支持攻关。

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Quick Summary

This article details the full process of ChangXin Memory Technologies (CXMT) going public on the Shanghai STAR Market, becoming the largest A-share IPO of the year and the new largest company by market capitalization in A-share markets. It traces CXMT's development trajectory from years of sustained losses to explosive profit growth. Key takeaways are as follows:

1. Core event and data: CXMT priced its IPO at RMB 8.66 per share, and hit a RMB 3.31 trillion market capitalization on its opening day, surpassing Industrial and Commercial Bank of China to become the largest listed firm in A-share markets. The IPO raised RMB 29.5 billion. CXMT accumulated over RMB 300 billion in net losses over the three years prior to its listing, but posted RMB 24.762 billion in net profit attributable to shareholders in Q1 2026, 13 times its full-year net profit in 2025. CXMT currently holds 7.67% of the global DRAM market, ranking first in China and fourth globally.

2. Key lessons from CXMT's market breakthrough: CXMT seized the market gap left when the world's three largest memory chip makers shifted their capacity to higher-margin HBM. It bypassed patent barriers by acquiring patents from Germany's Qimonda, and adopted a generation-skipping development strategy. Over 10 years, it raised its production yield from an initial 0.3% to over 90%, achieving the first domestic breakthrough in mainstream DRAM production, moving the country from zero to one in this field.

3. Current strategic layout: CXMT is positioning itself in the LPDDR market to capitalize on booming demand for edge AI inference, while also ramping up R&D for HBM technology. It will allocate RMB 22 billion of its IPO proceeds to equipment procurement, supporting the growth of China's domestic semiconductor supply chain.

This article offers multi-dimensional insights for the development of Chinese domestic hard technology brands, with key takeaways summarized as follows:

1. Industry and consumer trends: The AI boom has driven a segmentation of demand for memory chips. HBM dominates the high-margin training segment, while LPDDR has emerged as a high-performance, cost-effective alternative for inference workloads. By 2027, AI inference is projected to account for 36% of global total LPDDR supply. Meanwhile, the three global memory giants have shifted capacity to HBM, opening a gap in the general DRAM market that creates a window for Chinese domestic brands to break through.

2. Product R&D strategy: Latecomer brands can pursue a differentiated path of bypassing incumbents' patent barriers and adopting a generation-skipping development strategy. CXMT acquired Qimonda's buried word line architecture patents to bypass the three giants' core patents, skipped outdated transition nodes, and directly developed 17nm process technology to achieve its breakthrough.

3. Pricing and competition lessons: When the performance gap with incumbents narrows and market demand far outpaces supply, brands can gain a competitive edge without relying on discounts. CXMT's current LPDDR market performance is a prime example of this dynamic.

4. Supply chain development direction: Brands can leverage China's national-level domestic substitution strategy to support the growth of the local supply chain, while securing long-term backing from state-owned capital and industrial capital to achieve industrial self-reliance.

This article summarizes the latest opportunities, risks, and actionable lessons for players in the semiconductor memory industry. Key takeaways are as follows:

1. Market opportunities: AI development has driven structural growth in memory demand. The boom in edge AI inference has pushed LPDDR demand growth far faster than capacity expansion, while the three major global memory players shifting to HBM has opened up headroom in the general DRAM market. This has created a growth window of rising volumes and prices for domestic industry practitioners.

2. Replicable development paths: In the early stages, players can avoid red-ocean segments where incumbents hold absolute advantages, and first enter segments that giants are gradually exiting to accumulate capital, technical know-how, and market experience, before moving into high-barrier core segments. Zhu Yiming's career path—first building a leading NOR Flash business that reached third place globally, then entering the DRAM market— is a successful example of this approach.

3. Capital and policy opportunities: Semiconductor self-reliance is currently a national-level strategic priority in China. State capital, industrial capital, leading internet firms, and insurance capital are all investing in hard technology projects. Founders can access diversified capital sources for long-term support.

4. Risk warnings: Latecomers entering the HBM space still face a 3-5 year technology gap with leading players, resulting in high technical risk for new entrants. The overall memory industry has entered a phase of moderate growth, so sustained explosive growth should not be expected.

This article summarizes relevant demand, opportunities, and development insights for semiconductor manufacturing facilities, with key takeaways as follows:

1. Product and production demand: Booming demand for AI inference has driven sustained growth in demand for LPDDR, a high-performance, cost-effective alternative. Combined with the general DRAM supply gap left by the three global giants, the industry is facing a period of rising volumes and prices. Relevant manufacturing facilities can adjust their capacity布局 accordingly.

2. Process development lessons: Latecomer manufacturers can adopt the strategy of bypassing patent barriers and pursuing generation-skipping development: skip outdated nodes to directly enter advanced process development, and gradually improve yield through long-term R&D. CXMT's growth from an initial 0.3% yield to over 90% validates the feasibility of this path.

3. Commercial opportunities: CXMT will allocate RMB 22 billion of its IPO proceeds to equipment procurement. The company's overall domestic equipment localization rate already reaches 40-50%, with Chinese-made equipment already deployed at scale in processes including etching and thin-film deposition. This creates substantial new order and process validation opportunities for domestic semiconductor equipment manufacturers.

4. Development insights: Hard technology manufacturing facilities can seize the strategic opportunity of domestic substitution, align with local downstream demand, access long-term support from diversified capital, and gradually achieve technological breakthroughs.

This article summarizes development trends and pain points across the semiconductor memory industry chain, offering actionable insights for relevant service providers. Key takeaways are as follows:

1. Industry development trends: AI is driving a segmentation of memory chip demand: HBM maintains high margins in the AI training segment, while LPDDR is seeing explosive growth in the AI inference segment. Domestic substitution is accelerating, and expansion by local fabs is driving rising demand for semiconductor equipment. Industry self-reliance is the long-term development direction.

2. Core pain points of key clients: Chinese domestic memory chip makers currently face three core pain points: first, leading global players hold a large stock of patents, creating high entry barriers and significant "bottleneck" risks for new entrants; second, improving yield for advanced processes requires long development cycles and massive R&D investment; third, the localization rate of high-end equipment such as lithography and metrology remains low, creating significant supply chain risk.

3. Opportunities for new technologies and solutions: Buried word line architecture is a viable technical path to produce DRAM while bypassing existing patents, and generation-skipping R&D is an effective strategy for latecomers to catch up on advanced processes. Domestic equipment service providers can leverage the expansion of local fabs like CXMT to enter leading fabs for process validation, gradually narrow the technology gap with overseas players, and fill gaps in the high-end equipment segment.

This article offers actionable insights on investment promotion and operations for all types of platforms participating in the semiconductor industry. Key takeaways are summarized as follows:

1. Industry demand: Hard technology chip projects require large upfront investment and long periods of operating losses, so they have high demand for long-term capital support and industrial supporting resources from platforms. The CXMT project was successfully developed only with funding and land supporting support from Hefei's state-owned capital platform.

2. Investment promotion direction: Memory chips are a core category of the semiconductor industry, with large room for domestic substitution and alignment with national strategic priorities. Once established, they can drive the development of the entire semiconductor equipment and materials industry chain, making them a priority for investment布局 by local industrial platforms and investment platforms.

3. Operations and management lessons: Hard technology projects can adopt an ownership structure of state capital "patient capital" participation, diverse investor participation, and dispersed shareholding. This structure guarantees long-term stable investment while attracting market-oriented resources. CXMT's structure—with no controlling shareholder and Hefei state capital holding more than 30% of total shares—supported stable development through the company's 10-year loss-making period.

4. Risk mitigation: When布局 chip projects, players must be wary of technical barriers and cyclical risks. The memory industry is inherently highly cyclical, and there remains a large technology gap in the HBM segment. Blind investment in low-barrier, outdated process projects should be avoided.

This article documents the latest breakthrough progress of China's semiconductor memory industry, presenting noteworthy new industry trends and new development models. Key insights are summarized as follows:

1. New industry trends: AI development has driven structural change in memory demand, shifting market focus from AI training chips to AI inference chips, creating a valuable strategic catch-up window for latecomer memory players. CXMT's positioning in the general DRAM and LPDDR markets has driven its explosive profit growth, and its post-IPO status as the largest company by market capitalization in A-share markets has broken the three global giants' monopoly on the DRAM market, marking a milestone event for China's push for semiconductor self-reliance.

2. A new R&D model: Latecomer chip companies have pioneered a catch-up R&D model of bypassing patent walls and pursuing generation-skipping breakthroughs: entering the sector by acquiring patents from bankrupt firms, skipping outdated nodes to directly pursue advanced process development, and forging a differentiated catch-up path. This model offers valuable reference for breakthroughs in other "bottleneck" sectors.

3. An innovative capital model: CXMT has developed a capital structure with multiple participants: early-stage patient capital from state investors, plus market-oriented VC/PE, industrial capital, and insurance capital. This structure addresses the long-term capital demand of hard technology projects while maintaining a flexible ownership structure, providing a new financing template for hard technology projects.

4. Unresolved new issues: The localization rate of domestic semiconductor equipment in lithography and metrology segments remains low, so "bottleneck" risks persist. There is still a 3-5 year technology gap in the HBM segment, so additional policy and industrial resource support is needed for further R&D breakthroughs.

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「IPO全观察」栏目聚焦首次公开募股公司，报道企业家创业经历与成功故事，剖析公司商业模式和经营业绩，并揭秘VC、CVC等各方资本力量对公司的投资加持。

作者丨薛皓皓

编辑丨关雎

今天（7月27日），长鑫科技在上交所科创板挂牌上市。发行价8.66元/股，发行市值5792亿元，成为年内A股规模最大IPO。开盘大涨471.59%，开盘股价49.5元，市值3.31万亿元，超过工商银行（2.77万亿元），成为A股市值第一。截至发稿，股价为48元，市值3.21万亿元。

2026年一季度，长鑫科技单季归母净利润达到247.62亿元，是2025年全年利润的13倍。而在此之前的三年里，这家公司累计亏损超过300亿元。

这种戏剧性的业绩反转，发生在公司冲刺IPO的前夕。长期以来，全球DRAM（动态随机存取存储器，即电脑和手机里负责临时存储数据的内存芯片）市场被SK海力士（市值约9.7万亿元）、三星（市值约9.6万亿元）、和美光（市值约7.7万亿元）三大巨头把控，合计占据超90%的市场份额。

然而，随着AI浪潮的爆发，三大巨头纷纷将产能转向利润率高达70%的HBM（高带宽内存，由多片DRAM垂直堆叠，AIGPU专属），导致通用DRAM供给急剧收缩。

这一由巨头战略转移意外留出的市场空缺，被长鑫精准承接。从2005年朱一明带着10万美元初始资金回国，到2016年落户合肥开启代号“506”的造芯计划，长鑫用十年时间将良率拉升至90%以上，最终凭借通用DRAM产品的量价齐升，造就了历史性的利润暴涨。

然而，长鑫科技的野心不止于填补空缺。在AI时代真正的利润高地HBM领域，长鑫正顶着技术代差，死咬头部三大巨头。随着端侧AI和推理需求的爆发，LPDDR（低功耗DRAM，广泛用于手机和AI PC）逐渐成为推理芯片的平替方案，这种AI硬件市场的不确定性，恰好为长鑫的追赶赢得了宝贵的战略窗口。

更深层的意义在于，作为全球最大的存储芯片消费国，中国多年来芯片进口金额超过石油，在屡遭外部出口管制的背景下，半导体产业的自主可控已成国家级战略。

在此大背景下，长鑫科技IPO募资295亿元中，220亿元用于设备采购与安装，长鑫正在用真金白银强行拉动一条从刻蚀、薄膜到量测的国产半导体供应链。

从股权结构来看，长鑫科技无控股股东及实际控制人，股权结构较为分散。创始人、董事长朱一明持有约2.65%的股份。

按照招股书披露的股东结构粗略测算，合肥国资相关主体合计持股约三成以上。隶属合肥国资体系的清辉集电和长鑫集成位列第一和第二大股东，持股份额19.50%和10.54%，大基金二期持股7.86%、员工持股平台合肥集鑫持股7.53%、安徽省投持股7.12%、阿里云计算及阿里网络合计持股4.48%、兆易创新持股1.62%。

绕过专利墙，“跳代”攻坚

朱一明，1972年出生于江苏盐城，17岁考入清华大学物理系，后赴美国纽约州立大学石溪分校攻读电子工程硕士，毕业后进入硅谷存储芯片大厂工作。在那里，他看到了一个行业现实：DRAM是几乎所有电子设备的核心组件，却被欧美垄断，中国当时一片都造不出来。

2005年，朱一明带着10万美元初始资金回到中关村，在在清华科技园成立了中国首家存储芯片设计企业芯技佳易，这家公司在2010年更名为就兆易创新。

值得一提的是，芯技佳易曾参加创业邦主办的“DEMO CHINA 2007”活动，这个活动也是在清华科技园举办。

朱一明没有直接去做DRAM，而是选择了当时国际巨头正在逐步放弃的NOR Flash（一种主要用于存储固件和程序代码的闪存芯片，广泛应用于功能机、路由器、物联网设备等）。

彼时，三星等大厂正将产能集中转向利润更高的NAND Flash，NOR Flash市场出现了供给缺口。朱一明抓住了这个时间窗口，凭借更低的价格和稳定的供货，逐步打入国内电子产品供应链。

随着物联网设备和TWS无线耳机（如AirPods）的普及，NOR Flash需求持续增长，兆易创新顺势做大，最终做到了全球市占率第三（近两年）。

2013年，朱一明又带领团队切入MCU（微控制器，即工业设备、家电、汽车电子中负责控制逻辑的芯片），推出了中国首个基于ARM架构的32位通用微控制器产品系列，进一步扩大了公司的产品版图。2016年，兆易创新成功在A股上市（当前市值超3000亿元）。

兆易创新上市的同一年，朱一明做了一个重要决定：辞去兆易创新总经理的职务，转身去做DRAM。

DRAM是存储芯片中技术壁垒最高、资金投入最大的品类。一条12英寸DRAM产线的建设成本动辄超过百亿元，建设周期长达数年，且在量产前几乎没有任何收入。更难的是，三大巨头在DRAM领域积累了数以万计的专利，任何新进入者都面临被专利诉讼的风险。

朱一明拿着做DRAM的方案跑遍全国，最终与合肥市达成合作，敲定了代号为"506"的国产DRAM项目——合肥产投出资144亿元，兆易创新出资36亿元，长鑫科技正式落户合肥。

专利问题是第一道关。朱一明盯上了2009年已申请破产的德国奇梦达（Qimonda）。奇梦达曾是全球第二大DRAM厂商，破产后留下了大量专利资产。其中有一项名为"埋入式字线架构"（Buried Wordline，简称BWL）的技术，能够在不触碰三大巨头核心专利的前提下实现DRAM的量产，是绕开专利墙的关键路径。经过多轮谈判，长鑫最终拿下了奇梦达的技术文档和专利授权（约2.8TB的奇梦达技术文档和近2万个专利申请）。

解决了专利问题，接下来是工艺攻关。朱一明没有选择从落后节点逐步追赶的常规路线，而是直接跳过中间的过渡工艺节点，攻克17nm（纳米）工艺。这一策略的代价是早期良率极低——产线最初的良率只有0.3%，意味着100片晶圆中只有不到1片能产出合格芯片。朱一明亲自带队攻关，历经数年将良率提升至90%以上。

2019年9月，长鑫12英寸晶圆厂正式投产，推出8GB DDR4（DDR是目前PC、服务器最常见的运行内存），实现了国内主流DRAM芯片从0到1的突破。此后，长鑫陆续推出DDR5、LPDDR5等更高规格产品，逐步进入手机、服务器等主流市场。

国资陪跑与巨头入局

从2018年天使轮到2025年6月上市前最后一轮融资，长鑫科技完成了九轮融资，累计融资额达数百亿元规模。2025年6月完成最后一次增资时，公司的投后估值已经接近1600亿元，相当于2个MiniMax和3个商汤的最新市值。

在财务投资者方面，长鑫科技吸引了众多市场化机构的目光。中金资本、君联资本、水木基金等VC/PE机构在不同阶段参与了投资。此外，招商证券、华安证券、中信建投、国泰海通、中金公司等多家头部券商也通过旗下另类投资子公司、私募基金、产业基金等形式完成入股。

五大行（工、农、中、建、交）的金融资产投资公司（AIC）也在长鑫科技IPO前最后一个大规模融资节点集中入局，用股权投资的方式承接了硬科技企业的资本需求。和谐健康保险、国寿投资、人保资本等多家险资机构也通过股权投资方式入股，体现了“耐心资本”对硬科技的长期布局。

在产业投资方阵营中，阿里巴巴和腾讯这两大互联网巨头赫然在列。在2025年6月长鑫科技上市前最后一轮融资中，阿里云以61亿元认购了3.85%新增注册资本，是最后一轮融资中最大的单一投资方之一。在“AI+存储”深度绑定的趋势下，互联网大厂的参与不仅带来了资金，更带来了数据中心、云计算等下游应用场景的战略协同。此外，小米产投、美的投资等终端厂商的入局，反映了其对核心供应链自主可控的战略需求。更值得一提的是，A股存储芯片龙头兆易创新以1.8%的持股位列第八大股东。

国资加持是长鑫科技一路走来的重要保障。除了合肥国资，国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）以8.73%的持股比例位居第三大股东，在外部机构股东中最高。

此外，安徽省投以7.91%的持股位列第五大股东，体现了省级资本对半导体产业链布局的战略考量。中国国有企业结构调整基金（国调基金）也出现在股东名单中。

在长鑫科技长达十年的亏损期里，最早入局并始终坚定陪跑的是合肥国资。2016年，当全球DRAM市场被三星、SK海力士和美光三家企业牢牢掌控，国内几乎无人看好一家创业公司能在这一领域突围时，合肥国资果断押注长鑫科技，在合肥经开区启动12英寸晶圆厂建设。这不仅是“雪中送炭”，更是地方产业资本深度参与国家战略的体现。

从股权结构来看，长鑫科技无控股股东及实际控制人，股权结构较为分散。第一大股东清辉集电是专为投资长鑫科技设立的公司，系无实际控制人结构。其中，芯睿投资（合肥经开区国资体系）持有51.09%，长鑫集成持有48.90%。

长鑫科技第二大股东长鑫集成由合肥市产业投资控股集团100%持股，实控人为合肥市国资委。第四大股东合肥集鑫是由长鑫科技高管、核心技术人员等间接持股的员工持股平台。

按照招股书披露的股东结构粗略测算，合肥国资相关主体合计持股约三成半以上。这种“多元分层”的资本版图，为长鑫科技从“0到1”的硬科技突围提供了坚实的后盾。

长鑫科技的主要股东及持股比例为：清辉集电19.50%、长鑫集成10.54%、大基金二期7.86%、合肥集鑫7.53%、安徽省投7.12%、阿里云计算及阿里网络（合计）4.48%、兆易创新1.62%。

产能错配下的利润弹性

长鑫科技在2026年一季度实现的247.62亿元归母净利润，背后有一组更能说明问题的历史数据：2022年亏损83.28亿元，2023年亏损163.40亿元，2024年亏损71.45亿元，三年累计亏损超过300亿元。而在2025年，公司全年归母净利润为18.75亿元，首次实现年度盈利。到2026年一季度，单季归母净利润就达到247.62亿元，同比增长1688.30%，一个季度的盈利已经是2025年全年的13倍。

从全年预期来看，公司预计2026年上半年实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。半年盈利预期已超过过去三年累计亏损总和。

根据Omdia数据，2025年四季度，长鑫科技的全球DRAM市场份额已达到7.67%，位列中国第一、全球第四。公司目前的主力产品已覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等全系列，其中LPDDR已打入国内所有手机厂商，连苹果也就手机业务正和长鑫沟通合作。

这场业绩反转，实际上是量价齐升与成本摊薄共同作用的结果。

在价格端，2025年下半年起，全球DRAM市场出现罕见的供需错位。三星、SK海力士和美光三大巨头将大量产能转向利润更为丰厚的HBM，导致通用DRAM供给急剧收缩。这种“挤出效应”直接引发了通用型DDR产品的价格暴涨。

据TrendForce数据，2026年一季度常规DRAM合约价环比涨幅达90%至95%。长鑫科技在2026年一季度的位元出货量（表示厂商实际出货的存储容量总和）仅环比增长11%，但其平均售价（ASP）却环比暴涨了约57%。纯粹由价格驱动的利润弹性被彻底释放。

在成本端，规模效应开始显现。半导体制造是典型的重资产行业，折旧摊销是最大的成本项。随着合肥、北京厂区产能爬坡，长鑫科技的月产能已接近35万片晶圆，产能利用率保持在接近99%的高位。巨大的出货量摊薄了单位固定成本，使得公司主营业务毛利率从2023年的-2.19%（成本倒挂）、2024年的5.00%，一路飙升至2025年的41.02%，到2026年一季度，其毛利润率更是达到了惊人的70%。

结构层面，长鑫科技的收入构成也在同步发生变化。2025年，公司主营业务收入按产品类别分为三大板块：LPDDR系列收入407.04亿元，占主营收入的66.43%；DDR系列收入195.31亿元，占31.87%；其他产品及服务10.41亿元，占1.70%。2023年至2025年，LPDDR系列始终是公司最大的收入来源，占比稳定在65%以上。

LPDDR之所以能成为长鑫最大的现金牛，且业绩持续攀升，源于踩中了一个关键的市场共振点。

“长鑫科技的LPDDR的涨幅短期内仍不会见顶，但是过去一年的疯狂涨幅应该不会再出现了。”IO资本联合创始人俞枫认为主要原因在于：“AI激发了端侧AI硬件的需求，而端侧AI硬件需要LPDDR。从行业而言，LPDDR整体需求的上涨速度，超过了厂商扩充产能来满足需求的速度。”

俞枫认为，虽然长鑫的LPDDR产品性能和国际三大存储巨头仍有差距，但是差距已经大大缩小。再加上需求远大于供给，长鑫科技甚至不需在定价上折扣获取竞争优势。

但是，从整个存储行业趋势而言，已脱离了爆发式增长的情况，进入温和增长模式，身处业内的长鑫科技的业绩也不例外。

端侧AI带来的战略空间

然而，AI时代的真正利润高地在HBM。当SK海力士凭借HBM收取“过路费”，营业利润率逼近70%时，长鑫在HBM领域仍落后SK海力士、三星和美光3~5年的制程节点。

所以，当SK海力士供应的HBM，被集成到英伟达最先进的AI训练GPU中，长鑫科技可能还未摸到那个门槛。

国外研究机构认为，长鑫科技仍然在努力稳定HBM3 8-high（8-high指由8层DRAM芯片垂直堆叠而成）的供应（2022年SK海力士推出，供应英伟达H100），包括热应力、裸晶破裂、翘曲、键合缺陷以及多层堆叠过程中的良率损失。该研究机构认为，长鑫科技在12-high或更高层HBM方面的工艺知识和制造经验尚不充足。

不过，长鑫追赶的速度可能比外部想象得更快。有业内人人士分析称，长鑫科技与SK海力士在HBM的差距已从3~5年大幅缩减。

外部研究机构认为，长鑫科技可能借鉴此前在通用DRAM的“跳代”研发策略，直接跳过HBM3的规模量产，转而专注于HBM3E 8-high和12-high（SK海力士、三星于2024年推出）。

正在建设的上海晶圆厂中专门设置了HBM产线，而这一晶圆厂承载着长鑫的更先进工艺节点和特色技术研发的战略重任。

与此同时，AI对芯片需求的迁移，也一定程度上缓解了长鑫追赶SK海力士、三星等的压力——由于大模型近一两年的智力提升幅度远低于前两年，且Agent需求的爆发式增长，使得市场需求正从AI训练芯片，转向AI推理芯片。

德勤相关数据显示，2023年推理占AI算力的需求约占1/3，到2026年推理占AI算力的需求已占2/3。

AI推理芯片对存储芯片的结构性分化——AI推理芯片厂商开始根据性能需求和成本敏感度进行分层选择。追求极致速度和处理超大参数模型的厂商依然会首选HBM；而对于成本更敏感、应用场景更日常的推理需求，LPDDR则成为了极佳的平替方案。

高通AI200推理卡搭载了768GB的LPDDR内存，远超英伟达GB300的288GB HBM3e容量。英特尔的推理芯片采用LPDDR后，热设计功耗降至350W，可直接风冷部署，省去了昂贵的液冷改造成本。甚至英伟达Vera Rubin的CPU内存也采用了LPDDR5X。据预测，到2027年，AI推理对LPDDR的需求将占全球LPDDR总供应的36%。

所以，HBM对于AI推理芯片的重要性可能下降，这给长鑫科技在AI算力市场提供了更多的战略决策空间——并非需要刻意追赶，才能在该领域获得更多的市场份额。

对于长鑫而言，真正的机会并不是在HBM上全面超越SK海力士，而是在AI算力需求不断分层的过程中，找到属于自己的市场定位。

真金白银拉动国产供应链

除了自身的战略卡位，长鑫的IPO更是整条国产半导体供应链的好日子。在长鑫此次拟募集的295亿元资金中，有高达220.66亿元被明确用于设备购置及安装费。

这笔巨资对于国产设备商而言，是一个实打实的“超级订单”。

长鑫目前的整体设备国产化率已达到40%至50%。在刻蚀和薄膜沉积等关键环节，国产设备已经实现了规模化放量。例如，中微公司的刻蚀设备已经在长鑫实现了300多台反应器的量产，而北方华创更是独家拿下了长鑫近45%的刻蚀与薄膜设备订单。拓荆科技、华海清科等设备商也已深度绑定长鑫的扩产周期。

对于上述国产化率较高的设备，它们和国外顶尖水平的差距正在逐渐缩小。“海外设备厂商有大量与晶圆厂共同开发的经验，细节工艺微调能力更强；国产设备厂商正在大规模进入头部晶圆厂，上游供应链快速成长，正在逐步缩小差距。”俞枫说。

俞枫认为，最后的性能差（综合指标，包括良率、生产效率等）需要靠时间磨平。

然而，在光刻、量测设备环节，国产化率依然较低，需进一步解决“卡脖子”的风险。

220亿元的设备采购订单，不仅是长鑫产能扩张的弹药，更是中国半导体设备产业链的催化剂。随着新厂的陆续投产，国产设备厂商将迎来新一轮的验证与放量周期。长鑫科技，正在用真金白银，强行拉动一条自主可控的DRAM供应链。

注：文/薛皓皓，文章来源：创业邦(公众号ID：ichuangyebang )，本文为作者独立观点，不代表亿邦动力立场。

文章来源：创业邦

FAQ回顾

长鑫科技是一家什么企业？

长鑫科技是国内头部DRAM存储芯片企业，2016年落户合肥启动国产DRAM项目，2026年7月在上交所科创板挂牌上市，发行市值5792亿元，为2026年A股最大IPO，其DRAM产品覆盖DDR、LPDDR等全系列，2025年四季度全球DRAM市占率达7.67%，位列全球第四、中国第一。

长鑫科技业绩暴涨的原因是什么？

全球三大存储巨头转向利润率更高的HBM产能，通用DRAM供给收缩价格暴涨，2026年一季度常规DRAM合约价环比涨幅达90%至95%；同时长鑫产能爬坡后规模效应凸显，产能利用率接近99%，单位固定成本摊薄，产品毛利率持续提升，量价齐升带动业绩暴涨。

国产存储芯片行业当前有哪些发展机遇？

AI浪潮下市场需求正从AI训练芯片转向AI推理芯片，推理芯片对成本更敏感，LPDDR成为HBM的高性价比平替方案，预计2027年AI推理对LPDDR的需求将占全球LPDDR总供应的36%，给国内存储厂商带来差异化竞争的战略窗口。

长鑫科技上市对国产半导体供应链有什么影响？

长鑫科技此次IPO募资295亿元，其中220亿元用于设备采购与安装，目前其整体设备国产化率已达40%-50%，中微公司、北方华创等国产设备商已深度绑定其扩产周期，将直接拉动国产半导体设备厂商的验证与放量，助力供应链自主可控。